之前在功率半导体。二极管我们定义了二极管可分为p-n结二极管和肖特基二极管。此外,我们还可以将具有p-n结的二极管分为整流二极管、快速恢复二极管、雪崩二极管和瞬态电压抑制二极管。

整流二极管

整流二极管被设计成在以相对较低的频率工作的整流单元中工作。这通常是50或60赫兹的工业频率。对于这些二极管,主要关注的是在提供给定的反向电压的同时,尽量减少导电状态下的功率损耗。反向回收电荷Q值rr和反向恢复能量损失E中移动整流二极管可以非常大,这通常排除了在增加频率和脉冲频率模式下使用它们的可能性。

快恢复二极管

快速恢复二极管是反向恢复时间t减小的二极管rr,反向回收电荷Qrr和反向恢复能量损失E中移动,设计为在高频或脉冲频率模式下工作。反向回收电荷Qrr值可以通过减小载波寿命τ来减小。这不仅增加了反向回收过程中的复合比例,而且减少了直流流动过程中积累的多余电子空穴对的数量。

为了改善二极管的性能特征,采用了一些技术方法来控制其各层中载流子寿命τ的减小。它们掺杂了重金属原子(金、铂等),高能粒子辐照(γ-光子、电子、质子、阿尔法粒子等)。有时使用控制p-发射器注入系数的方法来创建“半透明”或“透明”发射器。这些方法的本质也导致增强重组。然而,增加的复合区域局限于半导体的发射层内或表面。

一种重要类型的快速恢复二极管是“软”二极管保证S (S-factor)值不低于某一值。通常,S≥1的二极管被认为是“软”的。

另外,一种流行的快速恢复二极管是随心所欲的二极管.这些二极管安装反平行于完全控制的开关gto和igbt在自动电压逆变器中。它们的区别不仅在于增加的软性,而且还在于在高换向率di值下安全反向恢复的可能性R/dt高达几千安培/微秒。

雪崩二极管

雪崩二极管可以在雪崩击穿模式下工作。这种二极管通常以击穿电压值V为特征br,说明了雪崩击穿开始时的最小值,以及击穿时的能量特性:允许的最大非重复峰值反向功耗PRSM和/或雪崩击穿时的电力损失。

Transient-Voltage-Suppression二极管

瞬态电压抑制二极管(TVS二极管)是相同的雪崩二极管,但有一个额外的特性:雪崩击穿时反向电压的最大值。因此,该装置具有保护元件的功能,可以保护并联的设备元件不受过电压的影响。一个普通的雪崩二极管没有这样的功能,因为在雪崩击穿的反向电压的最大值不是标准化的。