电力半导体周刊

电力半导体周刊是一个ob欧宝体育app登录每周播客,涵盖电力半导体行业的最新消息。每周二由阿列克谢·切尔卡索夫,电力半导体周刊为您带来电力半导体和电力电子领域最有趣的事件。现在,您将永远不会错过任何主要的功率半导体产品发布、技术更新或市场趋势和新闻。

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电力半导体周刊第45卷
  • 阿尔法和欧米茄半导体引入80V功率MOSFET
  • 富士电气推出第二代分立SiC SBD系列
  • 英飞凌通过OptiMOS显著改进了技术™ 6100伏
  • ROHM被阿联酋认定为SiC电源解决方案的首选供应商
  • 德州仪器将新建300毫米半导体晶圆制造厂
  • 杜邦宣布收购罗杰斯公司
  • Semikron网络研讨会:最新相变TIM降低热阻
电力半导体周刊第44卷
  • Nexperia推出了高性能碳化硅二极管
  • 二极管将目标电动汽车应用与新的高电流额定TOLL MOSFET结合在一起
  • 博世将创建欧洲碳化硅半导体供应链
  • 吉利将开始大规模生产其碳化硅功率模块
  • II-VI公司提供电力电子用碳化硅基板
  • 东芝宣布战略重组
电力半导体周刊第43卷
  • SemiQ推出全新1200V SiC MOSFET
  • DENSO提供SiC功率半导体
  • 半导体电力电子中心基于Austin SuperMOS开发了一种新颖且经济高效的3.6kV/400A SiC HB IPM
  • BorgWarner因高功率密集逆变器获得美国能源部奖
  • KEC投资200亿韩元实现“第二次飞跃”
  • Qorvo®收购联合碳化硅公司(UnitedSiC)
电力半导体周刊第42卷
  • Vincetech的flowANPFC和flow3xANPFC用于更高效的直流电动汽车充电
  • B-TRAN™ 将根据IGBT和SiC功率器件进行评估
  • 正海集团与ROHM合资经营SiC电源模块业务
  • 博世将于2022年在其半导体工厂投资4亿多欧元
  • Siltronic在新加坡成立新工厂
  • SK Hynix以4.92亿美元收购当地芯片合同制造商
  • Bodo的宽带隙活动将于11月30日上线
电力半导体周刊第41卷
  • Wolfspeed和ZINSIGHT使用碳化硅提高效率
  • centrotherm将与TRANSFORM合作
  • 很少有人希望获得卡林技术
  • Transphorm任命Cindi Moreland为董事会成员
  • 粉色网络研讨会:烧结基础知识和粉色烧结系统的好处
电力半导体周刊第40卷
  • 意法半导体新MDmesh™ K6 800V功率MOSFET
  • ROHM最新一代双MOSFET
  • 外延设备市场趋势
  • 英飞凌和EBV Elektronik网络研讨会:使用CoolSiC的高功率UPS™
  • Semikron网络研讨会:门驱动器原理、注意事项和选择过程
2021\u 10\u功率半导体周刊第39卷
  • 新英飞凌EasyPACK™ 2B EDT2电源模块
  • 检测晶体管缺陷的新方法
  • NSF拨款1800万美元建设国家半导体制造厂
  • 通用汽车和沃尔夫斯比锻造战略供应商协议
  • 纳维教育深圳分公司扩张300%,以支持中国地区收入的显著增长,并加速高功率GaN应用
电力半导体周刊第38卷
  • 东芝的新模拟技术将汽车半导体的验证时间缩短了约90%
  • 硅HEMT上的高压GaN达到300毫米
  • 昭和电科签订长期合同,为东芝提供SiC外延片
  • SUMCO宣布发行新股以支持硅片生产
  • II-VI Incorporated赢得住友商事的优秀合作伙伴奖
  • Keysight Technologies,国立中央大学光学科学中心,建立第三代半导体研发和测试开放实验室
  • 2021年汽车半导体趋势
电力半导体周刊第37卷
  • VINcoSIM–Vincotech提供的新在线模拟环境
  • UnitedSiC宣布业界最佳6mohm SiC FET
  • GaN Systems与宝马签署半导体产能协议
  • Cree | Wolfspeed将转让至纽约证券交易所
  • 费罗泰克(江苏)电力半导体研究院隆重封顶仪式
  • 2021年硅MOSFET市场和技术趋势
  • 集成电力电子系统和解决方案国际会议
电力半导体周刊第36卷
  • 日立根据TED-MOS SiC功率器件的物理模型开发高度灵活的设计技术
  • 串联二极管用于更快的开关
  • 昭和电科签订长期合同,为ROHM提供SiC外延片
  • 2022年全球晶圆厂设备支出预计将达到1000亿美元
  • 杭州半导体晶圆成功完成融资
  • Vincotech网络研讨会:1500 V光伏逆变器系统的设计挑战和解决方案
  • 英飞凌网络研讨会:卡车、运载工具和公共汽车推进和辅助设备的功率半导体解决方案
电力半导体周刊第35卷
  • Infineon增强了1200 V EconoDUAL™ 3具有新电流等级的IGBT7组合
  • Power Integrations推出了新型规模的iFlex门驱动器
  • 新的应用材料技术帮助碳化硅芯片制造商加速向200mm晶圆的过渡
  • 比亚迪半导体向前迈进
  • 英飞凌庆祝其全新的300毫米晶圆芯片工厂正式投产
  • Nexperia推出“Power Live”虚拟会议
  • Semikron网络研讨会:利用电力电子堆高效绿色制氢
2021\u 09\u功率半导体周刊第34卷
  • 英飞凌和松下加速650 V GaN功率器件的GaN技术开发
  • 中芯国际斥资88.7亿美元建设上海芯片厂,向台积电发起挑战
  • 五年计划将支持芯片基材
  • 宏伟科技电力半导体公司上市
  • 2021年IGBT市场和技术趋势
  • 贺利氏电子在PCIM亚洲2021
  • Avnet二氧化硅网络研讨会:车辆和快速充电器应用的电源解决方案
电力半导体周刊第33卷
  • 日本富士电气为功率芯片业务注入3.6亿美元
  • onsemi将收购GT先进技术
  • VisIC Technologies在GoldenSand Capital牵头的一轮融资中筹资3500万美元
  • ROHM在欧洲庆祝成立50周年:专注于电源和模拟解决方案
  • EPE'21欧洲幼儿保育和教育是虚拟的,但具有附加值
  • Infineon网络研讨会:功率MOSFET封装–为您的应用程序做出正确选择
电力半导体周刊第32卷
  • 使用flowANPC S3 split为您的1500 V光伏逆变器供电
  • Cree | Wolfspeed和意法半导体扩大现有150毫米碳化硅晶片供应协议
  • 星空半导体计划筹集35亿元,用于一系列电力设备扩建项目
  • II-VI瞄准拥有GE专利的碳化硅汽车市场
  • 奥地利研究项目“H2Pioneer”:半导体行业的绿色氢气
  • Wolfspeed网络研讨会:使用SiC模块增强储能系统的性能指标
电力半导体周刊第31卷
  • Keysight推出采用高压碳化硅技术的Scienlab电池组测试系统
  • 粉德隆公司Freiberg场地水晶拉厅扩建奠基仪式
  • 一所半导体研究学院在北师大成立
  • 半导体台湾2021是一段旅程
  • 意法半导体网络研讨会:用于电机控制应用的新型SLLIMM HP智能电源模块
电力半导体周刊第30卷
  • 使用高性能Si3N4 AMB基板降低总体拥有成本
  • 新型小功率1700V SiC肖特基势垒二极管具有更快的开关速度和更高的效率
  • 首个通过航空航天认证的无基座电源模块系列提高了飞机电气系统效率
  • 推动电动性和能效向前发展:Infineon在大众ID.4美国巡回赛上
  • 吉利与ROHM就SiC电源设备达成了战略合作伙伴关系
  • 航天工业发射GaN系统
  • Transphorm完成收购AFSW晶圆厂的合资交易
  • Macronix与富士康签署6英寸晶圆厂资产交易协议
电力半导体周刊第29卷
  • 意法半导体制造首批200毫米碳化硅晶片
  • 用业界最坚固的碳化硅电源解决方案取代硅IGBT,该解决方案目前可提供1700V电压
  • ROHM的新型内置SiC二极管混合IGBT
  • Mersen将成为SiC半导体供应链网络的一部分
  • 贺利氏电子加入美国电力研究所
  • Mouser和ON Semiconductor为功率转换解决方案建立内容平台
  • 半导体东南亚2021走向虚拟化
  • 英飞凌碳化硅虚拟活动2021
电力半导体周刊第28卷
  • 上海天悦碳化硅半导体材料项目已公布,预计7月下旬开工
  • 日本Rohm启动4500万美元风险基金,推动新芯片技术
  • 华为获得Si IGBT中国专利
  • 英飞凌网络研讨会:绿色氢气系统开发的电力半导体解决方案
功率半导体周报特辑第2卷
  • 包尔英特
  • 意法半导体
  • 英飞凌科技
  • 三菱电机
  • 丹佛斯硅粉
  • 赛米控
  • 桑雷克斯
  • 遗传的
  • 关于半导体
  • 新登根
  • 阿尔法和欧米茄半导体
  • 还有更多…
电力半导体周刊第27卷
  • 半导体晶圆生产商SK Sirtron CSS将在美国投资3亿美元以提升电动汽车供应链
  • ST碳化硅25年和未来的新时代
  • 复合半导体季度市场监测
  • Semikron网络研讨会:电源模块的耐热性
电力半导体周刊第26卷
  • 采用先进的模具连接技术的Flow S3
  • 志新半导体有限公司IGBT模块封装测试生产线正式投产
  • ITEC成为独立的半导体设备制造商
  • ASM通过新的Intrepid®ESA扩展其外延产品系列™
  • ST和Exagan,氮化镓故事的新篇章
电力半导体周刊第25卷
  • 挖沟机™ TO-247-3-HCC住房中的5 WR6家庭
  • 比亚迪之后,另一家大规模生产汽车IGBT的中国公司
  • 中国企业Nexperia将收购英国最大芯片厂
  • 日立ABB电网正在演变为日立能源
  • ON Semiconductor庆祝2021年被《世界金融》评为半导体行业最具可持续性的公司
  • 2021年PCIM亚洲会议将在即将出版的版本中发表50多篇论文
电力半导体周刊第24卷
  • 雷诺集团与意法半导体在电力电子领域展开战略合作
  • II-VI公司为150 mm碳化硅晶片提供热离子注入铸造服务
  • 东芝的新器件结构提高了SiC MOSFET的高温可靠性并降低了功率损耗
  • 随着全球芯片短缺的持续,比亚迪半导体将价格提高5%
  • 名古屋理工学院与NGK成立“NGK环境创新实验室”
  • 新半导体工厂将刺激设备支出激增
  • EE亚洲奖
电力半导体周刊第23卷
  • EBV Elektronik宣布与英飞凌进行战略合作,以提供尖端碳化硅技术
  • 英飞凌巩固了全球第一汽车半导体供应商的地位
  • 全球半导体生产能力的趋势
  • SiC肖特基二极管制造与性能研究合作
  • 日立正在美国建立新工厂,以便与客户合作并创造新的解决方案
电力半导体周刊第22卷
  • Cree和Gospower向服务器电源市场提供碳化硅
  • 三菱电机将推出工业用T系列2.0kV IGBT模块
  • ON Semiconductor在亚太经合组织2021年会议上宣布了用于电动汽车充电的新型全碳化硅MOSFET模块解决方案
  • 阿尔法和欧米茄半导体宣布新董事提名
  • 如何阅读IGBT模块数据表
电力半导体周刊第21卷
  • 博世在德累斯顿开设未来芯片工厂
  • 东芝的三栅极IGBT功率半导体将开关功率损耗降低了40.5%
  • 第五代650V SiC肖特基MPS™ 二极管的最佳效率
  • G3R™ 750V SiC MOSFET具有无与伦比的性能和可靠性
  • 日本将所有芯片摆在桌面上,以吸引半导体制造商
电力半导体周刊第20卷
  • 威尔士芯片制造商纽波特晶圆厂担心中国秘密接管
  • 半成品:全球200毫米晶圆厂产能加快,以满足激增的需求,解决芯片短缺问题
  • 三星选择英飞凌作为其第一款基于MOSFET的冰箱逆变器设计
  • 第33届电力半导体器件和集成电路国际研讨会(ISPSD)在线举行
  • 加入Wolfspeed碳化硅电源专家,参加为期五周的系列研讨会
电力半导体每周特别版第01卷PCIM欧洲数字日2021
  • 三菱电机
  • 赛米控
  • 英飞凌科技
  • 富士电气
  • 日立ABB电网公司
  • Dynex半导体
  • 力特
  • 关于半导体
  • 沃尔夫斯比
  • 警报器
  • 意法微电子学
  • 桑雷克斯
  • 下佩里亚
  • 罗姆半导体
  • 威世半导体
  • 电子半导体
电力半导体周刊第19卷
  • 台积电2021年将汽车芯片产量提高60%
  • 意法半导体因其历史性的“芯片上的多硅技术”成就而荣获IEEE里程碑奖
  • ROHM的“2050年环境愿景”
  • Gartner表示,全球芯片短缺预计将持续到2022年第二季度
  • 日本将增加开支以促进本地芯片生产
  • 博多六月份的专家演讲
电力半导体周刊第18卷
  • 中国比亚迪计划分拆并上市半导体部门
  • 东芝的碳化硅功率模块新技术提高了可靠性并减小了尺寸
  • 三层设计的新SEMIKUBE
  • 韩国誓言建设世界上最大的半导体带
  • ROHM和Mouser推出新一代电动汽车电源解决方案电子书
  • 第十五届功率半导体国际研讨会

电力半导体周刊第17卷
  • 业界首款经汽车认证的用于电动汽车牵引逆变器的SiC六块电源模块–使用HybridPACK轻松提升功率™ 驱动CoolSiC™
  • CISSOID扩展其SiC智能功率模块平台
  • Imec和AIXTRON在AIXG5+C上展示了200mm GaN外延,适用于1200V应用,击穿电压超过1800V
  • 半固态碳化硅在E型功率逆变器中的应用
  • NXP出售20亿美元债务,为节能半导体提供资金
  • 英飞凌通过扩大供应商基础提高了碳化硅的供应安全性
  • 产业联盟对台湾碳化硅发展至关重要,Actron董事长表示
电力半导体周刊第16卷
  • SEMIKRON和Silicon Mobility宣布合作开发一个24V到96V的逆变器平台,用于功率高达50KW的电池驱动车辆
  • 三菱电机将推出新的X系列高压IGBT和高压二极管
  • Nexperia的650 V GaN场效应晶体管支持在2千瓦及以上运行的80 PLUS®钛级电源
  • 二十位驾驶员™ X3增强型和X3紧凑型
  • 轻松打包™ 酷似™ MOSFET模块支持太阳能系统和ESS应用中1500 V的快速开关直流链路电压
  • 是的,Power Technix提供用于电动自行车的SiC电源芯片
  • JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了碳化硅(SiC)MOS器件偏置温度不稳定性的里程碑式文件
  • SiC MOSFET在太阳能和储能网络研讨会中的应用
电力半导体周刊第15卷
  • 台积电供应商预计在明年9月装备美国芯片厂
  • 是电源Technix接收SiC沟槽MOSFET技术
  • 富士康谈判收购芯片厂以支持电动汽车的雄心壮志
  • 台湾将启动扩大半导体劳动力的计划
  • 克里工程现场施工即将完工
  • II-VI公司在上海成立技术和研发中心
  • 在下一代可编程电源测试解决方案中使用碳化硅的好处
电力半导体周刊第14卷
  • II-VI Incorporated扩大了电力电子产品在电动汽车和清洁能源应用中的碳化硅制造足迹
  • 新的LoPak模块:现在用于1200 V应用,具有相同的熟悉包装
  • IIT海得拉巴、NXP印度、美的携手推动半导体和IP初创企业
  • 台积电工厂遭遇停电——预计损失数百万美元
  • 电子移动性车载充电器的双向拓扑和半导体
电力半导体周刊第13卷
  • Vishay Intertechnology世界上最好的汽车-80 V P沟道MOSFET提高了效率和功率密度
  • 中国Wingtech在芯片短缺之际建造价值20亿美元的电动汽车齿轮工厂
  • 奥地利半导体生产增长
  • ROHM半导体欧洲公司任命新总裁
  • 东芝获得英国私人股本公司的收购要约
  • 推动电动汽车充电器转换器的效率和功率密度极限
  • EBV Elektronik呈现:SiC/GaN培训日
  • 亚太经合组织2021年会议虚拟化
电力半导体周刊第12卷
  • 瑞萨表示,受火灾影响的芯片厂的正常生产需要100-120天
  • 美国最大芯片铸造厂的首席执行官解释了半导体短缺可能持续到2022年的原因
  • 芯片制造商TSMC将如何在3年内花费1000亿美元?容易的
  • 中国减税刺激半导体扩张
  • II-VI赢得连贯性的战斗
  • 采用STMicroelectronics技术的高效PFC系统
电力半导体周刊第11卷
  • 实现业界领先的低损耗,扩展离散IGBT XS系列产品线
  • MiniSKiiP®双芯片,采用先进的新型模具连接技术
  • Vitesco Technologies赢得了电动汽车800伏碳化硅技术的主要订单
  • 韩国关注下一代电源芯片
  • 半导体设备账单再创新高
  • 表演必须继续。四月半导体活动现场直播
电力半导体周刊第10卷
  • 采埃孚为电动汽车提供800伏组件
  • 节能车载电气系统采用西门子移动和英飞凌开发的技术
  • 联合SiC场效应晶体管喷射计算器
  • Nexperia和联合汽车电子系统公司就氮化镓达成全面合作协议
  • 中国中芯国际以24亿美元的价格获得深圳基金
  • 日本的硅片后来者转向中国扩张
  • 使用750V Gen 4 SiC FET在3.6kW图腾极PFC中实现99.3%的效率
电力半导体周刊第8卷
  • 新650伏CoolSiC™ 车用混合离散系统
  • Alpha和Omega Semiconductor发布用于电动汽车应用的汽车合格1200VαSiC MOSFET
  • 瑞萨将以59亿美元收购Dialog半导体
  • 2021年电动汽车电力电子技术
  • EE时代介绍:下一代电动汽车和AV的路线图
  • EDA Direct和西门子“用于车辆电气化的高功率密度半导体热测试”网络研讨会
电力半导体周刊第9卷
  • 博世在德累斯顿开设新晶圆厂的道路上达到里程碑
  • 东芝电子设备与存储公司宣布对电力设备业务进行重大投资
  • 东芝发布650V超级结功率MOSFET
  • 英飞凌推出的StrongIRFET™ 2功率MOSFET
  • Marelli推出专有的全SiC功率模块,用于赛车运动中的电动和混合动力牵引应用
  • 碳化硅半导体2021年技术展望
  • 博多的WBG专家讲座
电力半导体周刊第7卷
  • 东芝推出碳化硅MOSFET模块
  • Nexperia宣布计划增加全球产量并增加研发支出
  • ON Semiconductor首席执行官预计汽车芯片积压将在第三季度结束
  • Denso在马来西亚扩大半导体产能
  • 英飞凌表示在新奥地利工厂的帮助下可以满足芯片需求
  • 拜登将订购电动汽车电池,矿产供应链回顾
  • Powerex宣布新任首席执行官
  • 动力碳化硅–碳化硅渗透加速时的快车道生活–网络广播
电力半导体周刊第6卷
  • GeneSiC新的第三代SiC MOSFET
  • 半导体新型650V碳化硅MOSFET研究
  • NXP和英飞凌工厂在德克萨斯州遭遇停电风暴
  • 台积电协助汽车业
  • 芯片制造商瑞萨在地震检查中暂停茨城工厂的运营
  • 工业宽带隙开发者论坛
  • 用于电器和工业应用的氮化镓
  • PCIM欧洲仅于2021年5月3日至7日以数字方式举行
电力半导体周刊第5卷
  • GaN系统公司生产20000000个GaN晶体管
  • CEO访谈:下一代GaN Power IC
  • ROHM SiC MOSFET为领先的太阳能公司Midnite Solar解决设计难题
  • Richardson Electronics,Ltd.通过SemiQ第三代SiC二极管模块继续扩展电源管理能力
  • 英飞凌押注电动汽车强劲增长
  • 美国芯片业呼吁拜登政府为工厂提供资金
  • 2020年半导体市场回顾与2021年展望
  • SemiSel 5:简化功率半导体选择
  • 三星考虑购买NXP半导体、瑞萨、英飞凌或德州仪器
  • 英飞凌努力满足汽车行业供应链的需求
  • 英飞凌新650伏CoolSiC™ 混合式IGBT
  • 芯片短缺打乱了通用汽车公司下周三家北美工厂的运转
  • JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了其第一份基于碳化硅(SiC)的功率转换器件指南
  • PCIM欧洲会议将于2021年8月31日至9月2日在德国纽伦堡举行
  • 富士电气推出X系列IGBT
  • Vincotech针对伺服驱动应用的全新1200 V六块解决方案
  • 卢姆在奇库戈的阿波罗工厂完成了新的建筑
  • Mouser已宣布与SanRex达成全球分销协议
  • 岘港许可证1.1亿美元的半导体项目
  • 东芝肖特基势垒二极管的阵容扩展
  • AspenCore氮化镓指南:电力电子的新时代
  • PCIM Asia于2021年9月迁至深圳
  • SK集团投资国内碳化硅生产商
  • Vishay 650 V SiC肖特基二极管
  • 日本瑞萨介入缓解汽车芯片短缺
  • 英飞凌扩大Eiedriver投资组合
  • JEDEC WBG电力半导体委员会发布新测试方法
  • Anglia通过UnitedSiC扩大SiC投资组合
  • 功率半导体网络研讨会
  • 论半导体与中铁二院管理变革
  • Denso的新型碳化硅功率半导体用于丰田Mirai
  • Rohm将投资600亿日元,以增加下一代功率半导体的产量
  • 汽车芯片短缺只是问题的一部分
  • 中国主要MOSFET供应商提高价格
  • SemiQ发布的第三代650V/1200V SiC二极管模块
  • Cree推出新的碳化硅功率模块产品组合
  • 英飞凌-柏树合并:对科技行业意味着什么?
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